一种高精度法兰盘型硅谐振压力传感器及其制造工艺
公开
摘要
本发明公开了一种高精度法兰盘型硅谐振压力传感器及其制造工艺，包括由下至上依次设置的玻璃衬底层、硅衬底层、二氧化硅埋层、法兰盘型硅谐振层以及盖板层；该传感器利用法兰盘型结构的谐振器大刚度的特点，代替了传统小刚度梁型谐振器，极大地提高了工作模态的谐振频率，解决了梁型谐振器工作模态频率低，容易受到模态串扰的问题，相邻的干扰模态与工作模态频率间隔较大，不会引起模态干扰的现象。同时，法兰盘型的谐振结构引入了滑膜阻尼，相较于梁型结构的压膜阻尼，其阻尼比较小，对应的Q值较高，除此之外，高的工作模态频率也对应了高Q值的特点，使得谐振传感器的灵敏度增加，提高了测量的高精度。
基本信息
专利标题 ：
一种高精度法兰盘型硅谐振压力传感器及其制造工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114577370A
申请号 ：
CN202210488974.3
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-05-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡宗达张坤张林赵鑫李明兴
申请人 ：
成都凯天电子股份有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市青羊区西货站515号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210488974.3
主分类号 ：
G01L1/10
IPC分类号 ：
G01L1/10 G01L11/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L1/00
力或应力的一般计量
G01L1/10
通过测量受应力的振动元件的频率变化，例如，受应力的带的
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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