一种新型半导体轴向整流二极管
授权
摘要
本实用新型公开了一种新型半导体轴向整流二极管，包括二极管主体，所述二极管主体的前后两侧壁中心处均固定连接有引脚，两个所述引脚靠近二极管主体的一端侧壁上设置有卡点，所述卡点的一侧壁固定连接在引脚的侧壁上，所述二极管主体的外侧设置有外壳，所述外壳的前后两内侧壁中心处均设置有散热片，两个所述散热片的一侧壁分别固定连接在外壳的前后内侧壁上，两个所述散热片的另一侧壁中心处均设置有限位块。本实用新型通过在二极管主体外侧外壳的侧壁上设置有四个泄压槽，大大提高了二极管产生损坏时的安全性，能够有效的防止其损坏时对周围的元器件造成损坏，减少损失，提高使用时的安全性。
基本信息
专利标题 ：
一种新型半导体轴向整流二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220137298.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-01-18
授权号 ：
CN216624246U
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
路立群石雷李风燕
申请人 ：
山东赛克罡正半导体有限公司
申请人地址 ：
山东省济南市济阳区济北开发区黄河大街19号院内厂房E3-101室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202220137298.0
主分类号 ：
H01L23/02
IPC分类号 ：
H01L23/02 H01L23/367 H01L23/49 H01L29/861
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
法律状态
2022-05-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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