CMOS恒温集成流量传感器
公开
摘要
本实用新型采用功率的变化作为对流速的量度，只采用一只NMOS管作为温度敏感元件，并且在整个芯片中全部采用MOS器件，将温度敏感元件，运算放大器、加热元件用常规CMOS硅栅等平面工艺实现单片集成，采用单一的5V电源工作，并采用CMOS运算放大器控制芯片温度恒定，灵敏度很高。它可用于各种气体和液体的测量，流速的测定，集成电路生产工艺中的实时控制，还可用于其它量(如真空等)的测量。
基本信息
专利标题 ：
CMOS恒温集成流量传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN85204747.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1985-11-08
授权号 ：
CN85204747U
授权日 ：
1986-12-31
发明人 ：
童勤义黄金彪
申请人 ：
南京工学院
申请人地址 ：
江苏省南京市四牌楼2号
代理机构 ：
南京工学院专利事务所
代理人 ：
姚建楠
优先权 ：
CN85204747.9
主分类号 ：
H01L27/06
IPC分类号 ：
H01L27/06 G01F1/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
法律状态
1986-12-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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