集成电路
授权
摘要
在此公开了一种集成电路，包括：半导体衬底；电容器，包括：衬底中的第一阱，形成电容器第一板；垂直延伸到第一阱中的第一沟槽，其包括通过第一绝缘层与第一阱绝缘的第一中心导体；衬底第一阱上的顶表面上有第一厚度的第二绝缘层；和第二绝缘层上的电连接第一中心导体的第一导电材料层，其和第一中心导体形成电容器第二板；和存储器单元，包括：衬底中的第二阱；垂直延伸到第二阱中的第二沟槽，其包括通过第三绝缘层与第二阱绝缘的第二中心导体，其形成存储器单元的存取晶体管的栅极电极；衬底第二阱上的顶表面上的第四绝缘层，其有小于第一厚度的第二厚度；和第四绝缘层上的第二导电材料层，其形成存储器单元的浮置栅极晶体管的浮置栅极电极。
基本信息
专利标题 ：
集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021750350.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-20
授权号 ：
CN212676238U
授权日 ：
2021-03-09
发明人 ：
A·马扎基A·雷尼耶S·尼埃尔
申请人 ：
意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体(鲁塞)公司
申请人地址 ：
法国克洛尔
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
闫昊
优先权 ：
CN202021750350.7
主分类号 ：
H01L21/82
IPC分类号 ：
H01L21/82 H01L27/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
法律状态
2021-03-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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