一种微区敷膜方法与装置
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明公开了一种用于制造微电子产品的微区敷膜技术与装置，它用微处理机控制涂敷笔在基片指定的部位按设计的图形和尺寸描绘敷料形成涂敷膜层，这种敷膜技术与装置具有操作简便、成本低廉、膜层均匀等优点，此外还能满足涂敷多品种膜层的需要。
基本信息
专利标题 ：
一种微区敷膜方法与装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1039327A
申请号 ：
CN88104273.0
公开（公告）日 ：
1990-01-31
申请日 ：
1988-07-14
授权号 ：
CN1013328B
授权日 ：
1991-07-24
发明人 ：
孙安纳崔莉张智宏
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区清华东路
代理机构 ：
中国科学院专利事务所
代理人 ：
卢纪
优先权 ：
CN88104273.0
主分类号 ：
H01L21/31
IPC分类号 ：
H01L21/31 G01N27/30 B05D7/00 B05C9/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
法律状态
1993-05-26 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1992-04-08 ：
授权
1991-07-24 ：
审定
1990-01-31 ：
公开
1988-12-21 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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