晶片中的挠性构件及其制造方法
视为撤回的专利申请
摘要
用于加速计之类微力学量传感器中的挠性构件及其制造方法，在传感器中第一部件(124)枢轴式地连接到第二部件(126)上。一方面，本发明提供连接第一和第二部件的第一和第二挠性构件(108，118)，使得能够围绕共同枢轴(128)转动。挠性构件具有一个增大稳定性的交叉式构造。每个挠性构件是通过在晶片的相对表面中蚀刻沟槽(100，102，110，112)来制成的，选择沟槽的位置和深度，使得在沟槽之间形成挠性构件。
基本信息
专利标题 ：
晶片中的挠性构件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1054483A
申请号 ：
CN90101025.1
公开（公告）日 ：
1991-09-11
申请日 ：
1990-02-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杰姆斯·R·伍德罗夫
申请人 ：
森德斯特兰德数据控制公司
申请人地址 ：
美国华盛顿
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
蔡民军
优先权 ：
CN90101025.1
主分类号 ：
G01D5/00
IPC分类号 ：
G01D5/00 G01P15/02 C30B33/08
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01D
非专用于特定变量的测量；不包含在其他单独小类中的测量两个或多个变量的装置；计费设备；非专用于特定变量的传输或转换装置；未列入其他类目的测量或测试
G01D5/00
用于传递传感构件的输出的机械装置；将传感构件的输出变换成不同变量的装置，其中传感构件的形式和特性不限制变换装置；非专用于特定变量的变换器
法律状态
1992-12-02 ：
视为撤回的专利申请
1991-09-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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