一种降低浸没式光刻技术中光学部件被水溶液沾污的方法

专利权的终止

摘要

本发明一种降低浸没式光刻技术中光学部件被水溶液沾污的方法，通过优化工艺流程，在硅片进入浸没式光刻设备与水分接触前，采用加入表面活性剂的液体充分预湿硅片，移除额外多余的光酸生成剂或者其它的表面污染物，大大减少了随后产生水溶液的污染问题，避免沾污光学部件以及提高硅片图像均匀性。

基本信息

专利标题：

一种降低浸没式光刻技术中光学部件被水溶液沾污的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1996145A

申请号：

CN200510003372.0

公开（公告）日：

2007-07-11

申请日：

2005-12-31

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

朱骏

申请人：

上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹（集团）有限公司

申请人地址：

201203上海市张江高科技园区碧波路177号华虹科技园4楼

代理机构：

上海智信专利代理有限公司

代理人：

王洁

优先权：

CN200510003372.0

主分类号：

G03F7/20

IPC分类号：

G03F7/20 G03F7/00 H01L21/027

IPC结构图谱

G部——物理

G03

摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术

G03F

图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备

G03F7/00

图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备

G03F7/20

曝光及其设备

法律状态

2018-12-21 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20051231
授权公告日 : 20100825
终止日期 : 20171231

2010-08-25 ：

授权

2009-01-28 ：

实质审查的生效

2007-07-11 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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