微细光刻技术
视为撤回的专利申请
摘要
本发明公开了一种微细光刻技术，为制造大规模集成电路、微波半导体器件、激光器、精密传感器等提供了一种新的紫外光衍射缩小曝光方法。本法不需要采用复杂的光学透镜系统，而且使图形的分辩率可达到光学投影曝光的水平，此种曝光技术具有等量缩小的特点，可按需要进行1～5倍的缩小曝光。可以加工3～0.7微米的精细图形。
基本信息
专利标题 ：
微细光刻技术
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86101809A
申请号 ：
CN86101809.5
公开（公告）日 ：
1987-10-07
申请日 ：
1986-03-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡思福
申请人 ：
成都电讯工程学院
申请人地址 ：
四川省成都市建设北路二段四号
代理机构 ：
成都电讯工程学院专利代理室
代理人 ：
马新民
优先权 ：
CN86101809.5
主分类号 ：
G03F7/02
IPC分类号 ：
G03F7/02
法律状态
1991-09-11 ：
视为撤回的专利申请
1987-10-07 ：
公开
1987-09-23 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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