一种类金刚石碳膜制造方法和用其制造的带包覆膜的部件
专利权的终止
摘要
本发明提供了一种射频等离子体增强化学气相沉积方法,先在基底上沉积一层金属层,依次在金属层上沉积其氮化物层或者碳化物层,再在氮化物或者碳化物层上沉积类金刚石碳膜。本发明还提出了一种用该方法制造的带复合型包覆层的部件,部件的基材可以是金属、陶瓷、玻璃和有机树脂材料。本发明相应地提出了一种实施射频等离子体增强化学气相沉积方法的装置,该装置安装有至少一个金属溅射源,并把真空室分为等离子体生成室和等离子体处理室两个相连通的空间。在等离子体处理室内安有一对大面积的电极板,以确保镀层的均匀性和各向同性。通过调节电压、电流和真空室内Ar、N2和含碳气体组分,可沉积高附着力的类金刚石碳膜。
基本信息
专利标题 :
一种类金刚石碳膜制造方法和用其制造的带包覆膜的部件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1827845A
申请号 :
CN200510047679.0
公开(公告)日 :
2006-09-06
申请日 :
2005-11-11
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
蔺增巴德纯
申请人 :
东北大学
申请人地址 :
110004辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号
代理机构 :
沈阳东大专利代理有限公司
代理人 :
梁焱
优先权 :
CN200510047679.0
主分类号 :
C23C16/26
IPC分类号 :
C23C16/26 C23C16/505 C23C16/513
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/26
仅沉积碳
法律状态
2012-01-11 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101168109684
IPC(主分类) : C23C 16/26
专利号 : ZL2005100476790
申请日 : 20051111
授权公告日 : 20090311
终止日期 : 20101111
号牌文件序号 : 101168109684
IPC(主分类) : C23C 16/26
专利号 : ZL2005100476790
申请日 : 20051111
授权公告日 : 20090311
终止日期 : 20101111
2009-03-11 :
授权
2006-10-25 :
实质审查的生效
2006-09-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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