一种利用无电解电镀制作二极管晶体的方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种利用无电解电镀制作二极管金属层的方法，该方法首先是提供一个二极管晶片/晶圆，之后在欲形成金属层的二极管晶片/晶圆区域形成一可作为无电解电镀还原金属湿式制程的触媒的金属底材，并搭配局限金属层形成位置的阻隔层的有无，以简单快速地形成所需的金属层。该方法可产生均匀性极高的金属层，操作简易，可于晶片/晶圆的正反两面同时沉积金属层，从而有效缩短制程时间，进而大幅度降低生产制造成本。另外，金属层的表面具有较大的粗糙度，可提供后续进行打线或焊接的附着力，进一步提高产品的品质。
基本信息
专利标题 ：
一种利用无电解电镀制作二极管晶体的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1988112A
申请号 ：
CN200510102376.4
公开（公告）日 ：
2007-06-27
申请日 ：
2005-12-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈俊彬
申请人 ：
陈俊彬
申请人地址 ：
523852广东省东莞市长安镇锦厦荣文路宜安五金饰品商场三楼积联科技公司
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200510102376.4
主分类号 ：
H01L21/283
IPC分类号 ：
H01L21/283 H01L21/3205 H01L33/00 H01S5/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
H01L21/283
用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积
法律状态
2016-02-10 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101645509145
IPC(主分类) : H01L 21/283
专利号 : ZL2005101023764
申请日 : 20051219
授权公告日 : 20081217
终止日期 : 20141219
号牌文件序号 : 101645509145
IPC(主分类) : H01L 21/283
专利号 : ZL2005101023764
申请日 : 20051219
授权公告日 : 20081217
终止日期 : 20141219
2008-12-17 ：
授权
2007-08-22 ：
实质审查的生效
2007-06-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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