在发光二极管上制作光子晶体掩膜层的方法和装置
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种利用激光多光束干涉技术在发光二极管上制作二维光子晶体覆层掩膜的优化设计方法和装置。本发明的方法是将一束激光经过空间滤波、扩束和准直后,再分成三束,然后由反射镜将三束激光会聚到发光二极管芯片表面的光刻胶掩膜层上,调整各束激光的入射角度、强度和偏振态,形成设定的二维干涉图样,经过曝光、显影后得到二维的光子晶体掩膜。实现该方法的装置包括沿光轴设置的激光器、扩束滤波器、准直透镜和分束器,对应每束激光设有反射镜,沿着通过分束器后的各束激光的光轴,放置有偏振衰减控制器。本发明所用的装置简单、灵活度高、成本低,生产速度快,适合于大规模制作发光二极管表面的光子晶体掩膜。
基本信息
专利标题 :
在发光二极管上制作光子晶体掩膜层的方法和装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1818798A
申请号 :
CN200610049850.6
公开(公告)日 :
2006-08-16
申请日 :
2006-03-15
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
佘俊敖献煜何赛灵
申请人 :
浙江大学
申请人地址 :
310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号
代理机构 :
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 :
张法高
优先权 :
CN200610049850.6
主分类号 :
G03F7/20
IPC分类号 :
G03F7/20 H01L33/00 H01L21/027
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2015-05-06 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101608727343
IPC(主分类) : G03F 7/20
专利号 : ZL2006100498506
申请日 : 20060315
授权公告日 : 20110907
终止日期 : 20140315
号牌文件序号 : 101608727343
IPC(主分类) : G03F 7/20
专利号 : ZL2006100498506
申请日 : 20060315
授权公告日 : 20110907
终止日期 : 20140315
2011-09-07 :
授权
2006-10-11 :
实质审查的生效
2006-08-16 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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