老化测试的方法和老化测试的测量程序
专利权的终止
摘要
一种老化测试的方法包括步骤(a)和(b)。在步骤(a)中，通过位于探针板(1，1’)上的第一探针(4，5)来执行第一半导体器件(DUT1，DUT2)的操作测试。在步骤(b)中，当执行操作测试时，通过位于探针板(1，1’)上的第二探针(6)将应力施加到第二半导体器件(DUT1’，DUT2’)。
基本信息
专利标题 ：
老化测试的方法和老化测试的测量程序
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1755379A
申请号 ：
CN200510108776.6
公开（公告）日 ：
2006-04-05
申请日 ：
2005-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
佐佐木卓
申请人 ：
恩益禧电子股份有限公司
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
穆德骏
优先权 ：
CN200510108776.6
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01R31/28 H01L21/66
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2011-12-07 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101147915432
IPC(主分类) : G01R 31/26
专利号 : ZL2005101087766
申请日 : 20050930
授权公告日 : 20081126
终止日期 : 20100930
号牌文件序号 : 101147915432
IPC(主分类) : G01R 31/26
专利号 : ZL2005101087766
申请日 : 20050930
授权公告日 : 20081126
终止日期 : 20100930
2008-11-26 ：
授权
2006-05-31 ：
实质审查的生效
2006-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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