一种测定深沟槽失效深度的方法

专利权的终止

摘要

本发明公开一种测定深沟槽失效深度的方法，包括步骤：准备试样且获得失效的深沟槽在样品中的位置；在聚焦离子束样品台转动到预定角度时，在深沟槽的一侧预定距离处采用垂直于样品表面的离子束切割出凹坑；转动聚焦离子束样品台，采用与样品表面倾斜成预定角度的离子束切割包括失效深沟槽在内的样品，并且采用垂直于样品表面的电子束观看失效深沟槽的顶部图像。本发明可以节省对于深沟槽失效深度的分析时间且提高分析的准确度和成功率。

基本信息

专利标题：

一种测定深沟槽失效深度的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1979791A

申请号：

CN200510111271.5

公开（公告）日：

2007-06-13

申请日：

2005-12-08

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

胡佑周

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

逯长明

优先权：

CN200510111271.5

主分类号：

H01L21/66

IPC分类号：

H01L21/66

相关图片

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/66

在制造或处理过程中的测试或测量

法律状态

2019-11-22 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20051208
授权公告日 : 20090107
终止日期 : 20181208

2011-12-14 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101238306802
IPC(主分类) : H01L 21/66
专利号 : ZL2005101112715
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111108

2009-01-07 ：

授权

2007-08-08 ：

实质审查的生效

2007-06-13 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

CN100449722C.PDF

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CN1979791A.PDF

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