PCVD成膜工艺
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种PCVD成膜工艺，先将RF功率设定为一第一功率值，然后再将RF功率设定到工作功率。本发明中，增加一步RF低功率的步骤，降低Plasma的不安定性，避免出现异常放电，并且由于较低功率所产生的电场较弱，在氮化硅分子浓度较低的情况下，能够减少工作对象上附着的杂质。
基本信息
专利标题 ：
PCVD成膜工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1995453A
申请号 ：
CN200510112256.2
公开（公告）日 ：
2007-07-11
申请日 ：
2005-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
马哲国
申请人 ：
上海广电NEC液晶显示器有限公司
申请人地址 ：
201108上海市闵行区华宁路3388号
代理机构 ：
上海智信专利代理有限公司
代理人 ：
薛琦
优先权 ：
CN200510112256.2
主分类号 ：
C23C16/513
IPC分类号 ：
C23C16/513 C23C16/52
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
C23C16/513
采用等离子流
法律状态
2010-08-04 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101003706868
IPC(主分类) : C23C 16/513
专利申请号 : 2005101122562
公开日 : 20070711
号牌文件序号 : 101003706868
IPC(主分类) : C23C 16/513
专利申请号 : 2005101122562
公开日 : 20070711
2008-08-13 ：
实质审查的生效
2007-07-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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