可重写非易失性存储器、电子设备、存储介质及重写方法
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摘要

本发明涉及一种可重写非易失性存储器,其包括:第一区域,存储有允许电子设备执行处理的处理程序,并具有在电子设备启动时被首先访问的第一特定部分;第二区域,存储有启动程序和重写程序。当对第一区域的存储内容进行擦除时,重写程序擦除第一区域的存储内容,以致第一特定部分的存储内容被最后擦除。当将存储内容写入第一区域时,重写程序将新的存储内容写入第一区域,以致第一特定部分的存储内容被首先写入。

基本信息
专利标题 :
可重写非易失性存储器、电子设备、存储介质及重写方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1779858A
申请号 :
CN200510113722.9
公开(公告)日 :
2006-05-31
申请日 :
2005-10-14
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
小河敦藤井修二
申请人 :
夏普株式会社
申请人地址 :
日本大阪府
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
邵亚丽
优先权 :
CN200510113722.9
主分类号 :
G11C16/02
IPC分类号 :
G11C16/02  G06F9/06  G06F12/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
法律状态
2009-12-23 :
授权
2006-07-26 :
实质审查的生效
2006-05-31 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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