薄膜晶体管的制造方法及有机电激发光显示装置
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摘要
本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法及有机电激发光显示装置，其特征为：藉由等离子CVD法将氧化硅膜(51)沉积于玻璃基板(50)上，再藉由等离子CVD法将非晶硅膜(52)沉积于氧化硅膜(51)上；对非晶硅膜(52)照射准分子激光，一直加热到非晶硅膜(52)熔解为止并使其结晶化，以作成多晶硅膜(52A)；将此多晶硅膜(52A)蚀刻成预定的图案；将P型杂质例如硼离子植入于多晶硅膜(52A)中，藉由CVD法沉积由氧化硅膜构成的栅极绝缘膜(53)，以覆盖多晶硅膜(52A)，再于栅极绝缘膜(53)上形成栅极电极(54)。通过本发明可降低有机EL显示装置的横纹与纵纹的显示不均，从而提高显示质量。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管的制造方法及有机电激发光显示装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790641A
申请号 ：
CN200510115668.1
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-11-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
菱田光起
申请人 ：
三洋电机株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
程伟
优先权 ：
CN200510115668.1
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L27/32
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2008-11-26 ：
授权
2006-08-16 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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