半导体激光装置
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明是具有折射率波导结构，将横模为高次模或多模来振荡的GaN系的带状型半导体激光器的多个发光区域，能够聚光为高亮度，抑制水平光束辐射角度为小。本发明具有：例如，在p－GaN盖层(28)和p－Al0.1Ga0.9N金属包层(27)，形成宽度W2的脊形结构所形成的折射率波导结构。横模为高次模或多模来振荡的GaN系的带状型半导体激光器中，将带中央部与带外部之间的实效折射率差Δn设定为1.5×10－2以下。
基本信息
专利标题 ：
半导体激光装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1764027A
申请号 ：
CN200510116450.8
公开（公告）日 ：
2006-04-26
申请日 ：
2005-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
早川利郎浅野英树长滨慎一松本祐司甲本克敏
申请人 ：
富士胶片株式会社;日亚化学工业株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
朱丹
优先权 ：
CN200510116450.8
主分类号 ：
H01S5/20
IPC分类号 ：
H01S5/20 H01S5/22 H01S5/343 H01S5/323 H01S5/40 H01S5/00
法律状态
2009-08-12 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-12-19 ：
实质审查的生效
2006-04-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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