确定半导体制造过程的独立式结构的线宽的系统和方法
专利权的终止
摘要
用于测定半导体(S/C)制造过程所建立的独立式结构的最小线宽的装置和方法。在半导体器件中建立独立式结构并使其经历相对于独立式结构的临界线宽被调整和找准的喷雾过程。响应亚临界线宽的独立式结构的破坏，调整此S/C制造过程。
基本信息
专利标题 ：
确定半导体制造过程的独立式结构的线宽的系统和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790658A
申请号 ：
CN200510118684.6
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-11-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
斯蒂芬·M.·鲁卡里尼卡尔·W.·巴斯斯蒂芬·K.·洛
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
张浩
优先权 ：
CN200510118684.6
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2012-01-04 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101166310810
IPC(主分类) : H01L 21/66
专利号 : ZL2005101186846
申请日 : 20051104
授权公告日 : 20080312
终止日期 : 20101104
号牌文件序号 : 101166310810
IPC(主分类) : H01L 21/66
专利号 : ZL2005101186846
申请日 : 20051104
授权公告日 : 20080312
终止日期 : 20101104
2008-03-12 ：
授权
2006-08-16 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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