半导体存储设备的测试模式进入的电路和方法
专利权的终止
摘要
提供了一种半导体存储设备的测试模式进入(entry)的电路和方法。在使半导体存储设备进入测试模式的方法中，当满足第一条件时，响应外部时钟而产生内部时钟。基于第一地址组合和内部时钟而产生地址组合信号。使用内部时钟和地址组合信号使半导体存储设备进入测试模式。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储设备的测试模式进入的电路和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1783347A
申请号 ：
CN200510118735.5
公开（公告）日 ：
2006-06-07
申请日 ：
2005-10-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林钟亨
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
吕晓章
优先权 ：
CN200510118735.5
主分类号 ：
G11C29/00
IPC分类号 ：
G11C29/00 G11C11/4063 G11C11/413
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/00
存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器
法律状态
2015-12-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101638250027
IPC(主分类) : G11C 29/00
专利号 : ZL2005101187355
申请日 : 20051031
授权公告日 : 20091223
终止日期 : 20141031
号牌文件序号 : 101638250027
IPC(主分类) : G11C 29/00
专利号 : ZL2005101187355
申请日 : 20051031
授权公告日 : 20091223
终止日期 : 20141031
2009-12-23 ：
授权
2007-02-28 ：
实质审查的生效
2006-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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