提供了一个存取晶体管的配置，用于具有共享位线接触的6F²堆叠电容器DRAM存储单元的布局。存取晶体管沿半导体线成对排列。各对晶体管的两个晶体管侧面反转朝向各自的公共位线部分。借助一个总是断开的隔离晶体管，每对晶体管与相邻的晶体管对隔开。存取晶体管和隔离晶体管被当作同样的凹进沟道晶体管而形成，具有延长的沟道和增强的隔离性质。对这两类晶体管的接点可提供相同的掺杂浓度。由于同样的器件既提供为存取晶体管，又提供为隔离晶体管，因而降低了光刻图案化工艺的复杂性。