具有电阻性尖端的半导体探针及其制造方法

专利权的终止

摘要

本发明提供了一种具有电阻性尖端的半导体探针和制造该半导体探针的方法。掺杂有第一杂质的电阻性尖端包括：电阻性区域，形成在电阻性尖端的顶部，轻掺杂有第二杂质，第二杂质与第一杂质的极性相反；第一半导体电极区域和第二半导体电极区域，形成在电阻性尖端的斜侧面上，重掺杂有第二杂质。半导体探针包括：电阻性尖端；悬臂，电阻性尖端位于悬臂的端部上；介电层，位于悬臂上并覆盖电阻性区域；金属屏蔽，位于介电层上并具有形成在与电阻性区域对应的位置处的开口。因此，提高了半导体探针的空间分辨率。

基本信息

专利标题：

具有电阻性尖端的半导体探针及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1811944A

申请号：

CN200510134516.6

公开（公告）日：

2006-08-02

申请日：

2005-12-08

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

丁柱焕申炯澈高亨守洪承范

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司

代理人：

郭鸿禧

优先权：

CN200510134516.6

主分类号：

G11B9/14

IPC分类号：

G11B9/14 G12B21/02