半导体激光装置
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种半导体激光装置。目的在于：能够在将波长不同的多个半导体激光元件形成为单片(monolithic)的半导体激光装置中很容易地形成可获得高输出特性及高可靠性的端面涂敷膜。半导体激光装置，形成在由n型GaAs构成的衬底101上，具有射出第1振荡波长为λ1，以及射出第2振荡波长为λ2(λ2≥λ件2。在各半导体激光元件1及2中的射出各激光的射出端面140上，形成对于第1振荡波长λn1且膜厚大致为λ/8n1的第1电介质膜，在该第1电介质膜上形成有折射率为n2且膜厚大致为λ/8n2的第2电介质膜。
基本信息
专利标题 ：
半导体激光装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1855649A
申请号 ：
CN200510138112.4
公开（公告）日 ：
2006-11-01
申请日 ：
2005-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
粂雅博岛本敏孝木户口勋宇野智昭
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汪惠民
优先权 ：
CN200510138112.4
主分类号 ：
H01S5/028
IPC分类号 ：
H01S5/028 H01S5/40 H01S5/323 H01S5/343 G11B7/125
相关图片
法律状态
2010-02-10 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-05-14 ：
实质审查的生效
2006-11-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1855649A.PDF
PDF下载
