半导体激光装置
实质审查的生效
摘要
半导体激光装置(100)在同一半导体基板(17)形成有激光部(20)、传播从激光部(20)射出的激光的波导(28)、和检测激光的光检测器(24)。光检测器(24)具备：p型接触层(35c)，其形成于波导(28)的与半导体基板(17)相反的一侧的上方且与阳极电极(96)连接；n型接触层(94)，其与阴极电极(95)连接；以及未掺杂层(93)，其形成于p型接触层(35c)与n型接触层(94)之间。光检测器(24)中的未掺杂层(93)以及n型接触层(94)具备：主受光部(91)，其在波导(28)的上方配置为包含波导(28)；以及放大部(92)，其与主受光部(91)连接且配置为不包含波导(28)。
基本信息
专利标题 ：
半导体激光装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114365359A
申请号 ：
CN201980100307.X
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2019-09-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
丹羽显嗣阿部宪一
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭忠健
优先权 ：
CN201980100307.X
主分类号 ：
H01S5/026
IPC分类号 ：
H01S5/026 H01L31/12
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/026
申请日 : 20190917
申请日 : 20190917
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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