半导体激光装置
实质审查的生效
摘要
半导体激光装置包括：具有至少一个第一量子点层(242)和至少一个第二量子点层(243)的激活层(24)，第二量子点层(243)比第一量子点层(242)具有更长的发射波长。活性层(24)的增益光谱在分别对应于第一量子点层(242)的发射波长和第二量子点层(243)的发射波长的第一波长和长于第一波长的第二波长处具有最大值。将第一波长处的增益光谱最大值定义为第一最大值，将第二波长处的增益光谱最大值定义为第二最大值。第一最大值大于第二最大值。
基本信息
专利标题 ：
半导体激光装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114498300A
申请号 ：
CN202111330110.0
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-11-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
镰田裕树樽见浩幸大山浩市武政敬三西研一大西裕
申请人 ：
株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社;QD激光公司
申请人地址 ：
日本爱知县
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
王琼先
优先权 ：
CN202111330110.0
主分类号 ：
H01S5/343
IPC分类号 ：
H01S5/343 H01S5/068
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/343
申请日 : 20211111
申请日 : 20211111
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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