掩模表面的高度方向位置测定方法、曝光装置以及曝光方法
专利权的视为放弃
摘要
一种曝光装置中掩模M表面的高度方向位置测定方法，此曝光装置具有一种转印功能，以借由投影光学系统使掩模M上已形成的图案转印至晶圆等的感应基板上，其特征为：在测定该掩模M的高度方向位置所进行的测定之前使配置在掩模M和投影光学系统之间曝光时规定该曝光区域所用的曝光区域规定构件1移动。本发明在即使存在着曝光区域规定构件时，由于可使曝光区域规定构件退避，仍可对掩模表面的所定部份的高度方向位置进行测定。
基本信息
专利标题 ：
掩模表面的高度方向位置测定方法、曝光装置以及曝光方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101002306A
申请号 ：
CN200580027407.2
公开（公告）日 ：
2007-07-18
申请日 ：
2005-12-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
平柳德行田中庆一
申请人 ：
株式会社尼康
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
左一平
优先权 ：
CN200580027407.2
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 G03B21/00 G01B11/00 G03F7/20
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2010-08-04 ：
专利权的视为放弃
号牌文件类型代码 : 1606
号牌文件序号 : 101004400974
IPC(主分类) : G03F 7/20
专利申请号 : 2005800274072
放弃生效日 : 20070718
号牌文件序号 : 101004400974
IPC(主分类) : G03F 7/20
专利申请号 : 2005800274072
放弃生效日 : 20070718
2007-09-26 ：
实质审查的生效
2007-07-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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