曝光机、挡板位置分析方法及装置
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种曝光机、挡板位置分析方法及装置。曝光机包括:玻璃基板;挡板,与所述玻璃基板相对设置;掩膜版,设于所述挡板和所述基板之间,所述掩膜版包括曝光区、非曝光区以及标尺,所述标尺包括尺身和设于所述尺身的刻度,所述刻度的刻度参考线与所述曝光区和所述非曝光区的分界线重合,所述刻度的测量范围大于所述挡板的衍射区域的尺寸,所述挡板用于遮挡所述非曝光区,且所述挡板的边缘与所述分界线重合。本申请实施例中设置标尺对挡板位置精度进行监控,如果发现异常可以及时修正,避免不良品产出后报废。
基本信息
专利标题 :
曝光机、挡板位置分析方法及装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114280885A
申请号 :
CN202111621412.3
公开(公告)日 :
2022-04-05
申请日 :
2021-12-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
何武
申请人 :
TCL华星光电技术有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
代理机构 :
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 :
方艳丽
优先权 :
CN202111621412.3
主分类号 :
G03F1/42
IPC分类号 :
G03F1/42 G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1/38
具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F1/42
校准或对齐特征,例如掩膜基板上的校准标记
法律状态
2022-04-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 1/42
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-04-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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