磁记录头及制造该磁记录头的方法

专利权的终止

摘要

本发明提供了一种磁记录头及制造该磁记录头的方法。所述方法包括：在第一绝缘层上依次形成第一磁层和绝缘帽层；在绝缘帽层上形成期望宽度的掩模图案，蚀刻第一磁层和绝缘帽层，直到暴露第一绝缘层，从而形成梯形分层部分；在第一绝缘层上沉积绝缘材料形成第二绝缘层以掩盖梯形分层部分的外围；在所述第二绝缘层上形成第二磁层。

基本信息

专利标题：

磁记录头及制造该磁记录头的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1838241A

申请号：

CN200610001962.4

公开（公告）日：

2006-09-27

申请日：

2006-01-23

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

李厚山金庸洙

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司

代理人：

郭鸿禧

优先权：

CN200610001962.4

主分类号：

G11B5/127

IPC分类号：

G11B5/127

IPC结构图谱

G部——物理

G11

信息存储

G11B

基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储

G11B5/00

借助于记录载体的激磁或退磁进行记录的；用磁性方法进行重现的；为此所用的记录载体

G11B5/127

磁头的结构或制造，例如电感应的

法律状态

2012-03-28 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101212322733
IPC(主分类) : G11B 5/127
专利号 : ZL2006100019624
申请日 : 20060123
授权公告日 : 20081203
终止日期 : 20110123

2008-12-03 ：

授权

2006-11-22 ：

实质审查的生效

2006-09-27 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载