Mg－Sb共掺杂p型ZnO薄膜的制备方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种Mg－Sb共掺杂p型ZnO薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：采用射频磁控溅射方法，所需靶材由高纯ZnO、MgO和Sb2O3粉末混合压制而成，得到磁控溅射靶材；步骤2：将衬底加温至一恒温；步骤3：利用射频磁控溅射方法，在氩气环境中将靶材溅射沉积在衬底之上；步骤4：进行原位高温退火处理，得到Mg－Sb共掺杂的p型ZnO薄膜材料。
基本信息
专利标题 ：
Mg－Sb共掺杂p型ZnO薄膜的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101022141A
申请号 ：
CN200610003121.7
公开（公告）日 ：
2007-08-22
申请日 ：
2006-02-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王鹏陈诺夫尹志岗
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
100083北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汤保平
优先权 ：
CN200610003121.7
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L21/203 C23C14/35 C23C14/08
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法律状态
2009-02-25 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-10-17 ：
实质审查的生效
2007-08-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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