Sn掺杂的介稳态氧化镓晶相薄膜及其制备方法与应用
授权
摘要
本发明公开了一种Sn掺杂的介稳态氧化镓晶相薄膜及其制备方法与应用。所述制备方法包括：采用脉冲激光沉积技术，以Sn掺杂的氧化镓陶瓷靶为靶材，在作为衬底的蓝宝石表面外延生长薄膜，再经退火处理，获得Sn掺杂的介稳态氧化镓晶相薄膜；其中，所述靶材中Sn的摩尔百分含量为0.1～5％。本发明采用Sn掺杂的氧化镓陶瓷靶材，可以稳定调控氧化镓薄膜在α和ε相间的转变，拓宽了氧化镓介稳态晶相的制备方法；同时制备的介稳态氧化镓薄膜晶粒取向一致，结晶度高，且具有较高的生长速率。
基本信息
专利标题 ：
Sn掺杂的介稳态氧化镓晶相薄膜及其制备方法与应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113584587A
申请号 ：
CN202110870509.1
公开（公告）日 ：
2021-11-02
申请日 ：
2021-07-30
授权号 ：
CN113584587B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
章建国张文瑞叶继春王维刘宁涛
申请人 ：
中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请人地址 ：
浙江省宁波市镇海区庄市大道519号
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王茹
优先权 ：
CN202110870509.1
主分类号 ：
C30B29/16
IPC分类号 ：
C30B29/16 C23C14/08 C23C14/28 C30B23/00 H01L29/24 H01L31/032
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2021-11-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/16
申请日 : 20210730
申请日 : 20210730
2021-11-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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