一种氧化钒薄膜的制备方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种氧化钒薄膜的制备方法，属于电子材料技术领域，具体涉及一种制备氧化钒薄膜的方法。本发明采用反应离子溅射镀膜工艺制备氧化钒薄膜，通过严格控制反应气体流量，降低制备的工艺难度，增加工艺的可重复性；通过本发明能够制备性能优良的以二氧化钒为基础的氧化钒混合相多晶薄膜，其电阻—温度系数(TCR)在30℃时，达到3％以上。
基本信息
专利标题 ：
一种氧化钒薄膜的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1966758A
申请号 ：
CN200510022085.4
公开（公告）日 ：
2007-05-23
申请日 ：
2005-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴志明蒋亚东王涛宋建伟
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
610054四川省成都市建设北路二段四号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200510022085.4
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 C23C14/08 C23C14/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2009-06-17 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-07-18 ：
实质审查的生效
2007-05-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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