一种氧化铪薄膜的制备方法
公开
摘要
本发明提供了一种利用三级低压反应离子镀方法制备氧化铪薄膜的方法，包括：待镀工件准备、待镀工件离子清洗活化步骤、镀膜步骤，并使用了一种三极低压反应离子镀设备，其中包含工件台及夹具、蒸发坩埚、脉冲直流电源、钨丝及直流电源、进气口；克服了传统电子束蒸发工艺镀制氧化铪薄膜的时候出现的膜料喷溅问题，降低了氧化铪薄膜沉积时可能出现的节瘤缺陷概率，提升了薄膜的激光损伤阈值。
基本信息
专利标题 ：
一种氧化铪薄膜的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114438458A
申请号 ：
CN202011206543.0
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-11-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘畅刘晓阳
申请人 ：
北京首量科技股份有限公司
申请人地址 ：
北京市通州区中关村科技园区通州园光机电一体化产业基地兴光四街5号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202011206543.0
主分类号 ：
C23C14/30
IPC分类号 ：
C23C14/30 C23C14/32 C23C14/02 C23C14/08
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/28
波能法或粒子辐射法
C23C14/30
电子轰击法
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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