成膜装置

专利申请权、专利权的转移

摘要

提供一种成膜装置，在加热状态的处理基板(5)的表面上，使多种的原料气体发生反应而进行成膜，其中所述处理室(1)被分为加热室(1a)与反应室(1b)，在与露出在反应室(1b)的处理基板(5)相对的地方，在与反应室(1b)相连的状态下设置原料气体的排气管(7)，对所述处理基板(5)的表面，在分别独立的状态下提供各原料气体的供给口(11、12)，被配置成位于排气管(7)的外侧。由此在处理基板(5)的附近使原料气体发生反应，在处理基板(5)上形成良好的结晶成膜。本发明的成膜装置可以防止原料气体到达处理基板之前发生反应，使来自处理基板的辐射热的影响最小化，而且可以使反应室的气体的动作更有益于结晶成膜。

基本信息

专利标题：

成膜装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101008080A

申请号：

CN200610004759.2

公开（公告）日：

2007-08-01

申请日：

2006-01-27

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

稻垣彻白幡孝洋横山敬志佐野道宏堀尾直史

申请人：

爱沃特株式会社;斯坦雷电气株式会社

申请人地址：

日本国北海道

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

刘建

优先权：

CN200610004759.2

主分类号：

C23C16/40

IPC分类号：

C23C16/40 C23C16/448 C30B25/14 C30B28/14 C30B29/16 H01L21/20

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C23

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制

C23C

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆

C23C16/00

通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺

C23C16/22

以沉积金属材料以外之无机材料为特征的

C23C16/30

沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物

C23C16/40

氧化物

法律状态

2017-04-12 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101749943235
IPC(主分类) : C23C 16/40
专利号 : ZL2006100047592
登记生效日 : 20170323
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 爱沃特株式会社
变更后权利人 : 爱沃特株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本国北海道
变更后权利人 : 日本国北海道
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 斯坦雷电气株式会社
变更后权利人 : 无

2011-03-23 ：

授权

2009-02-11 ：

实质审查的生效

2007-08-01 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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