用于X射线光谱分析含碳化硅材料的制样方法
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摘要
一种用于X射线光谱分析含碳化硅材料的制样方法，其包含以下步骤：配制混合氧化剂；制备熔剂挂壁打底的铂金坩埚；将配制混匀后的含碳化硅耐火材料样品与混合氧化剂倒入已由熔剂挂壁打底的铂金坩埚内；将铂金坩埚放入高温熔融炉中，在低温下加热氧化，制成用于X射线荧光光谱分析的玻璃珠。本发明方法，制成的用于X射线荧光光谱分析的玻璃珠，元素分布均匀，无颗粒效应和矿物效应，可长期保存；同时在制样过程中，可将含碳化硅耐火材料样品中的碳化硅分解氧化成不会腐蚀铂金坩埚的物质，操作方法简单，安全，制备时间短，样片可长期保存。
基本信息
专利标题 ：
用于X射线光谱分析含碳化硅材料的制样方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101008593A
申请号 ：
CN200610023709.9
公开（公告）日 ：
2007-08-01
申请日 ：
2006-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陆晓明金德龙徐元财王伟敏缪虹
申请人 ：
宝山钢铁股份有限公司
申请人地址 ：
201900上海市宝山区富锦路果园
代理机构 ：
上海科琪专利代理有限责任公司
代理人 ：
郑明辉
优先权 ：
CN200610023709.9
主分类号 ：
G01N1/28
IPC分类号 ：
G01N1/28 G01N23/223
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N1/00
取样；制备测试用的样品
G01N1/28
测试用样品的制备
法律状态
2011-03-30 ：
授权
2007-09-26 ：
实质审查的生效
2007-08-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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