用来化学机械抛光薄膜和介电材料的组合物和方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供一种可用来抛光半导体晶片上的导电材料、半导体材料和介电材料的水性组合物，该组合物包含0.01－5重量％的两性离子化合物、0.01－5重量％阳离子化合物、0.5－10重量％磨料、0－5重量％无机酸及其盐和余量水，所述磨料为只处于酸性pH下处理的热解法二氧化硅。该组合物和方法提供了相对于介电材料选择性去除导电层和半导体层的出乎意料的选择性。
基本信息
专利标题 ：
用来化学机械抛光薄膜和介电材料的组合物和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1837322A
申请号 ：
CN200610059635.4
公开（公告）日 ：
2006-09-27
申请日 ：
2006-03-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
B·L·米勒
申请人 ：
罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请人地址 ：
美国特拉华州
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
沙永生
优先权 ：
CN200610059635.4
主分类号 ：
C09K3/14
IPC分类号 ：
C09K3/14 H01L21/302
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C09
染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
C09K
不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用
C09K3/00
不包含在其他类目中的材料
C09K3/14
防滑材料；研磨材料
法律状态
2009-07-15 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-11-22 ：
实质审查的生效
2006-09-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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