半导体器件
授权
摘要
半导体器件(10)具有：设置在基板(16)上的第一晶体管(11)、隔着散热层(17)设置在第一晶体管(11)上的第二晶体管(12)、设置在基板(16)上的第三晶体管(13)以及隔着散热层(17)设置在第三晶体管(13)上的第四晶体管(14)。第一晶体管(11)具有：第一区域，其与设置第二晶体管的区域相对应；以及第二区域，其包围第一区域地形成，其中，发射区占基区的面积比例大于第一区域。第三晶体管(13)也与第一晶体管(11)一样，具有发射区占基区的面积比例不同的区域。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1943032A
申请号 ：
CN200680000196.8
公开（公告）日 ：
2007-04-04
申请日 ：
2006-02-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
鸟居克行金泽正喜
申请人 ：
三垦电气株式会社
申请人地址 ：
日本埼玉县
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
雒运朴
优先权 ：
CN200680000196.8
主分类号 ：
H01L25/07
IPC分类号 ：
H01L25/07
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/07
包含在H01L29/00组类型的器件
法律状态
2009-04-29 ：
授权
2007-05-30 ：
实质审查的生效
2007-04-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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