本发明涉及电子电力器件技术领域，特别为一种由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块封装结构，由Si IGBT和SiC MOSFET构成的混合全桥结构，一个桥臂由Si IGBT和碳化硅肖特基二极管构成，一个桥臂由SiC MOSFET构成。采用上述结构后，本发明本发明提供的一种由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块的封装结构，通过将Si IGBT与MOSFET封装在一个模块内，具有两种使用模式，解决了IGBT的开关损耗大、开关频率不高的问题；同时解决IGBT搭建的逆变器的纹波大的问题；同时，本发明提供的封装结构能够以较低的成本获得较好的模块性能，使复合器件的整体性能逼近同等功率等级的单一类型器件，但价格较后者具有显著优势。