芯片级集成射频无源器件、其制造方法及含有其的系统
专利权的终止
摘要
一种芯片封装包括设置于该芯片封装中管芯背侧表面上的电介质层下方的射频无源器件层。管芯有源表面和射频无源器件层之间的感应环路较小，因为任何射频无源器件都直接位于管芯占地区的下方。一种组合射频无源器件层的方法包括管芯级和板级射频无源器件层。一种计算系统包括芯片封装中的射频无源器件层。
基本信息
专利标题 ：
芯片级集成射频无源器件、其制造方法及含有其的系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101336477A
申请号 ：
CN200680052387.9
公开（公告）日 ：
2008-12-31
申请日 ：
2006-03-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
X·曾何江奇B·徐
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
陈松涛
优先权 ：
CN200680052387.9
主分类号 ：
H01L25/16
IPC分类号 ：
H01L25/16 H01L27/08 H01L23/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/16
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的
法律状态
2022-02-22 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 25/16
申请日 : 20060306
授权公告日 : 20101117
终止日期 : 20210306
申请日 : 20060306
授权公告日 : 20101117
终止日期 : 20210306
2010-11-17 ：
授权
2009-02-25 ：
实质审查的生效
2008-12-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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