一种深紫外LED芯片级封装器件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种深紫外LED芯片级封装器件及其制备方法。所述深紫外LED芯片级封装器件包括深紫外LED芯片、侧壁导光结构、石英透镜、透明层；所述深紫外LED芯片为倒装结构，设置于石英透镜镜下方，通过透明层连接深紫外LED芯片和石英透镜；所述侧壁导光结构设置于倒装的深紫外LED芯片外围，侧壁导光结构顶部贴于石英透镜下方。本发明所述的深紫外LED封装器件，不仅出光效率高，产品的耐深紫外的能力及可靠性及使用寿命得以显著提高，而且封装结构简单，有利于降低制备成本；而对于其制备方法，工艺简单易行，适合流水线工作，制备效率高。
基本信息
专利标题 ：
一种深紫外LED芯片级封装器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335295A
申请号 ：
CN202111242377.4
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-10-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
万垂铭王洪
申请人 ：
华南理工大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区五山路381号
代理机构 ：
广州粤高专利商标代理有限公司
代理人 ：
周春丽
优先权 ：
CN202111242377.4
主分类号 ：
H01L33/52
IPC分类号 ：
H01L33/52 H01L33/56 H01L33/58 H01L33/48
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/52
申请日 : 20211025
申请日 : 20211025
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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