一种ZnO MSM结构的紫外光电导探测器

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种高性能ZnO MSM结构的紫外光电导探测器，该结构包括一衬底，该衬底上沉积有ZnO薄膜层，在ZnO薄膜层上刻有作为欧姆接触的叉指电极图形，所述的叉指电极的对数为30～50，叉指电极的间距和指宽分别为10μm和30μm，叉指电极图形上还沉积有Al层或透明导电薄膜ITO层。本实用新型的ZnO MSM结构的紫外光电导探测器，灵敏度高、响应速度快，整个制备过程简单，成本低廉，易于控制；若在Si基衬底上制作，则可与常规的Si工艺兼容，有利于光电集成，且容易产业化，有很高的实用价值。

基本信息

专利标题：

一种ZnO MSM结构的紫外光电导探测器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720031739.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-04-30

授权号：

CN201060051Y

授权日：

2008-05-14

发明人：

张景文边旭明毕臻徐庆安杨晓东侯洵

申请人：

西安交通大学

申请人地址：

710049陕西省西安市咸宁路28号

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司

代理人：

李郑建

优先权：

CN200720031739.4

主分类号：

G01J1/44

IPC分类号：

G01J1/44