背照式结构的4H‑SiC紫外光电探测器阵列及制备，所述4H‑SiC紫外光电探测器包括从下到上设置的N型金属电极、N⁺型4H‑SiC衬底、吸收层、本征层；所述本征层通过离子注入的方式形成有多个P⁺层，用于制备阵列的单个像素点；所述P⁺层上设有P型金属电极；光从背面的N⁺型4H‑SiC衬底进行照射，所述N⁺型4H‑SiC衬底上对应P⁺层的位置刻蚀有贯穿N⁺型4H‑SiC衬底的微孔以形成有源区；所述N型金属电极设于N⁺型4H‑SiC衬底上未开设微孔的位置。一方面从背面刻蚀微孔增加紫外光的吸收，另一方面正面的P型金属电极和背面的N型金属电极恰好可以阻挡可见光的透过，使得硅读出电路不会对可见光产生响应。