一种PIN结构4H－SiC紫外光电探测器，涉及一种光电探测器，尤其是涉及一种探测波长为200～400nm的SiC PIN紫外光电探测器。提供一种可用于在很强的可见及红外光背景下检测紫外信号的碳化硅(SiC)PIN结构紫外光电探测器。设有n⁺型衬底，在n⁺型衬底上依次外延生长n型层、n^－型层和p⁺型层，n⁺型衬底背面为n型欧姆接触电极，采用干法刻蚀工艺刻蚀一高度从表面p⁺型层到达n型层的器件隔离台阶，隔离台阶和p⁺型层表面覆盖氧化层，在p⁺型层表面的p型接触电极窗口处沉积p型欧姆接触电极，p型欧姆接触电极上一角覆盖金属Ti/Au层作为焊盘，覆盖氧化层的台面为器件的光敏面。