一种提高深紫外光电探测器性能的方法
公开
摘要
本发明公开了一种提高深紫外光电探测器性能的方法，首先制备CsCu2I3单晶，采用反溶剂蒸汽辅助法生长CsCu2I3单晶，将N，N‑二甲基甲酰胺和二甲基亚砜混匀，制得5毫升混合溶液，N，N‑二甲基甲酰胺和二甲基亚砜的混合体积比为4:1，将原料1.299g碘化铯和0.952g碘化亚铜加入到上述混合溶液中，进行搅拌，需在60℃磁力不断搅拌下直至得到清澈的溶液，将无水甲醇缓慢滴加到上述溶液中，直到白色沉淀不再消失，将饱和溶液加热蒸发获得CsCu2I3晶体。所合成的CsCu2I3晶体，然后再通过水浸泡的方法，极大提高铯铜碘CsCu2I3钙钛矿的光电响应特性，具有很高响应度和量子效率，性能优于大多已报道的全无机无铅钙钛矿光电探测器，制备方法简单，成本低，在未来光电探测应用方面有很大的潜力。
基本信息
专利标题 ：
一种提高深紫外光电探测器性能的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114592239A
申请号 ：
CN202210213408.1
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
潘书生白凯磊范梓豪祝梓博
申请人 ：
广州大学
申请人地址 ：
广东省广州市大学城外环西路230号
代理机构 ：
北京高航知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘艳玲
优先权 ：
CN202210213408.1
主分类号 ：
C30B33/00
IPC分类号 ：
C30B33/00 C30B29/10 C30B7/02 H01L31/18
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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