一种垂直结构的ZnO紫外光电导探测器
专利权的终止
摘要

本实用新型公开了一种垂直结构的ZnO紫外光电导探测器,包括一衬底,衬底上依次沉积有ITO薄膜和ZnO薄膜层,ZnO薄膜层腐蚀后露出ITO薄膜形成ZnO台面,在ZnO台面上表面沉积有欧姆接触电极。本实用新型的垂直结构的ZnO紫外光电导探测器,其制备过程简单,成本低廉,易于控制,有利于光电集成,且容易产业化,有很高的实用价值。

基本信息
专利标题 :
一种垂直结构的ZnO紫外光电导探测器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200720126437.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2007-11-20
授权号 :
CN201167097Y
授权日 :
2008-12-17
发明人 :
张景文毕臻边旭明侯洵王东
申请人 :
西安交通大学
申请人地址 :
710049陕西省西安市咸宁路28号
代理机构 :
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 :
李郑建
优先权 :
CN200720126437.5
主分类号 :
H01L31/101
IPC分类号 :
H01L31/101  
法律状态
2013-01-16 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止专利号 : ZL2007201264375
申请日 : 20071120
授权公告日 : 20081217
终止日期 : 20111120
号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101379721776
IPC(主分类) : H01L 31/101
2008-12-17 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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