一种微纳深沟槽结构测量装置

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种微纳深沟槽结构测量装置，包括红外光源、干涉仪、探测光路、样品台、接收光路、探测器、放大器、滤波器、模数转换器和计算机；红外光源、干涉仪和探测光路依次位于同一光路上，探测光路的出射光与样品台的上表面法线之间的夹角为45°，接收光路与样品台上表面法线之间的夹角为45°，探测器位于接收光路的出光口，探测器、放大器和滤波器依次相连，滤波器通过模数转换器与计算机连接。本实用新型装置，可实现动态随机存储器(DRAM)上电容器典型深沟槽结构的测量，具有非接触性，非破坏性和低成本的特点。

基本信息

专利标题：

一种微纳深沟槽结构测量装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720087376.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-09-29

授权号：

CN201138196Y

授权日：

2008-10-22

发明人：

刘世元史铁林张传维顾华勇沈宏伟

申请人：

华中科技大学

申请人地址：

430074湖北省武汉市洪山区珞瑜路1037号

代理机构：

华中科技大学专利中心

代理人：

曹葆青

优先权：

CN200720087376.6

主分类号：

G01B11/22

IPC分类号：

G01B11/22 G01B11/02 G01B11/06 G01R27/26 H01L21/00