一种真空镀膜的加热基片架
专利权的终止
摘要

本实用新型涉及制备种类薄膜的设备,具体地说是一种用于承载基片的真空镀膜的加热基片架,包括蒸发源、传动组件、支撑组件及步进电机磁力转轴,步进电机磁力转轴安装在支撑组件上,蒸发源设置在传动组件上、并通过传动组件与步进电机磁力转轴连动。本实用新型的基片在镀膜过程中可旋转,提高了镀膜的均匀性,保证了膜层质量;靶材和基片之间的距离可以调节,针对不同的膜材可以选择不同的距离,从而扩大了靶材的选择范围,提高了镀膜效率;蒸发源的炉盘结构简单,很好地突破了电阻丝难以固定和束缚的难点,避免电阻丝因受热变形而脱开炉盘造成短路,延长了蒸发源的使用寿命,提高了蒸发源的可靠性;基片挡板对基片起到防护作用,屏蔽了污染。

基本信息
专利标题 :
一种真空镀膜的加热基片架
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820010150.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-01-11
授权号 :
CN201158704Y
授权日 :
2008-12-03
发明人 :
王云琴赵科新郭东民赵崇凌张冬李重茂徐宝利高树爱吕鑫淼赵长存
申请人 :
中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司
申请人地址 :
110168辽宁省沈阳市浑南新区新源街一号
代理机构 :
沈阳科苑专利商标代理有限公司
代理人 :
许宗富
优先权 :
CN200820010150.0
主分类号 :
C23C14/50
IPC分类号 :
C23C14/50  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/50
基座
法律状态
2013-03-20 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101411719342
IPC(主分类) : C23C 14/50
专利号 : ZL2008200101500
申请日 : 20080111
授权公告日 : 20081203
终止日期 : 20120111
2008-12-03 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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