半导体存储器装置及半导体装置
授权
摘要
提供了半导体存储器装置及半导体装置。该半导体存储器装置包括：基底，包括单元区域和连接区域；第一字线堆，包括延伸至连接区域并堆叠在单元区域上的多条第一字线；第二字线堆，包括延伸至连接区域并堆叠在单元区域上的多条第二字线，第二字线堆与第一字线堆相邻；竖直沟道，位于基底的单元区域中，竖直沟道连接至基底并与所述多条第一字线和所述多条第二字线结合；桥接区域，将第一字线堆中的第一字线与第二字线堆中的相应第二字线连接；局部平坦化区域，位于桥接区域下方。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器装置及半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107305893A
申请号 ：
CN201710253929.9
公开（公告）日 ：
2017-10-31
申请日 ：
2017-04-18
授权号 ：
CN107305893B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
朴钟国金泓秀赵泰根
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道水原市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘灿强
优先权 ：
CN201710253929.9
主分类号 ：
H01L27/11551
IPC分类号 ：
H01L27/11551 H01L27/11578
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法律状态
2022-05-31 ：
授权
2018-09-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11551
申请日 : 20170418
申请日 : 20170418
2017-10-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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