电子源及其制造方法
授权
摘要
提供一种能够抑制电子发射材料的消耗的电子源。根据本发明，提供一种电子源，其具有电子发射材料、以及覆盖所述电子发射材料的侧面的电子发射限制材料，所述电子发射限制材料的功函数高于所述电子发射材料的功函数，所述电子发射限制材料的热辐射率低于电子发射材料的热辐射率。
基本信息
专利标题 ：
电子源及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109478484A
申请号 ：
CN201780044499.8
公开（公告）日 ：
2019-03-15
申请日 ：
2017-06-29
授权号 ：
CN109478484B
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
森下利幸茶谷洋光广川晋平伊林敏成杉本勲
申请人 ：
电化株式会社
申请人地址 ：
日本国东京都中央区日本桥室町2丁目1番1号
代理机构 ：
北京汇思诚业知识产权代理有限公司
代理人 ：
龚敏
优先权 ：
CN201780044499.8
主分类号 ：
H01J1/148
IPC分类号 ：
H01J1/148 H01J9/04 H01J37/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J1/00
电极的、磁控装置的、屏的零部件及其设置或间隔，通用于两种以上基本类型的放电管或灯的零部件
H01J1/02
主电极
H01J1/13
固体热阴极
H01J1/14
按材料特性区分的
H01J1/148
有具有金属导电性质的化合物的，例如像硼化镧作为发射材料的
法律状态
2022-05-06 ：
授权
2019-06-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 1/148
申请日 : 20170629
申请日 : 20170629
2019-03-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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