一种Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器及其制备方法
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摘要
本发明公开了一种Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器，所述Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器包括衬底，所述衬底上依次设置有Pt薄膜、第一ZnO层、第二ZnO层、第三ZnO层和电极，所述第二ZnO层内穿插有Ag纳米线。本发明的Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器通过在ZnO层中包裹金属纳米线来增强器件的性能，该ZnO层的厚度小，有效地降低了制备的成本和器件的尺寸；通过在ZnO层中包裹金属纳米线，可以提高ZnO阻变存贮器的相应速率，赋予阻变存贮器良好的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108807665A
申请号 ：
CN201810415270.7
公开（公告）日 ：
2018-11-13
申请日 ：
2018-05-03
授权号 ：
CN108807665B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
杨为家何鑫刘铭全刘俊杰刘艳怡王诺媛蒋庭辉江嘉怡刘均炎
申请人 ：
五邑大学
申请人地址 ：
广东省江门市蓬江区东成村22号
代理机构 ：
广州嘉权专利商标事务所有限公司
代理人 ：
梁嘉琦
优先权 ：
CN201810415270.7
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00 B82Y30/00
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2018-12-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 45/00
申请日 : 20180503
申请日 : 20180503
2018-11-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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