硅片位置检测方法及装置、半导体加工设备
授权
摘要
本发明公开了一种硅片位置检测方法、装置及半导体加工设备。包括：步骤S110、基座加载硅片之前，测量硅片槽的槽底面上的多个第一采集点分别至预设测距面的距离，以获得多个初始距离值；步骤S120、基座加载硅片之后，测量硅片的上表面上的多个第二采集点分别至预设测距面的距离，以获得多个最终距离值；步骤S130、根据多个所述初始距离值和多个所述最终距离值获得的差值变化趋势，与预设标准趋势进行比对，判断所述硅片是否完全位于所述硅片槽中。本发明的硅片位置检测方法，可以有效避免硅片出现工艺不良的现象，提高硅片的制作良率。
基本信息
专利标题 ：
硅片位置检测方法及装置、半导体加工设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110797277A
申请号 ：
CN201810862163.9
公开（公告）日 ：
2020-02-14
申请日 ：
2018-08-01
授权号 ：
CN110797277B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
赵海洋盛方毓
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN201810862163.9
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2020-03-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20180801
申请日 : 20180801
2020-02-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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