用于将反应腔室与装载腔室隔离使得污染减少的装置和方法
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摘要

本公开涉及一种半导体加工装置,其具有:反应腔室,其可以包括具有开口的底板;可移动衬底支撑件,其被配置为支撑衬底;移动元件,其被配置为使保持在所述衬底支撑件上的衬底朝向所述底板的所述开口移动;多个进气口,其位于所述衬底支撑件上方并配置为将气体向下引向所述衬底支撑件;以及密封元件,其被配置为在所述底板与所述衬底支撑件之间形成密封部,所述密封部位于距所述衬底支撑件的中心比所述衬底支撑件的外边缘更大的径向距离处。在一些实施例中,所述密封元件还可以包括延伸穿过所述密封元件的多个孔,所述孔配置为在所述密封元件下方的位置到所述密封元件上方的位置之间提供流动路径。一些实施例包括两个或更多个堆叠的密封元件。

基本信息
专利标题 :
用于将反应腔室与装载腔室隔离使得污染减少的装置和方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN109750277A
申请号 :
CN201811293511.1
公开(公告)日 :
2019-05-14
申请日 :
2018-11-01
授权号 :
CN109750277B
授权日 :
2022-04-12
发明人 :
C·L·怀特K·范德如里奥J·K·舒格鲁D·马夸特
申请人 :
ASMIP控股有限公司
申请人地址 :
荷兰,阿尔梅勒
代理机构 :
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 :
张全信
优先权 :
CN201811293511.1
主分类号 :
C23C16/455
IPC分类号 :
C23C16/455  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-04-12 :
授权
2020-06-23 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/455
申请日 : 20181101
2019-05-14 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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